Оперативная память 4GB Samsung So-DIMM DDR4 2666MHz

Общие характеристики

Тип памяти - DDR4

Форм-фактор - SODIMM 260-контактный

Тактовая частота - 2666 МГц

Пропускная способность - 21300 МБ/с

Объем - 1 модуль 4 ГБ

Поддержка ECC - нет

Буферизованная (Registered) - нет

Низкопрофильная (Low Profile) - нет

Тайминги

CAS Latency (CL) - 19

RAS to CAS Delay (tRCD) - 19

Row Precharge Delay (tRP) - 19

Activate to Precharge Delay (tRAS) - 32

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля - 4, односторонняя упаковка

Напряжение питания - 1.2 В

Количество ранков - 1

• Банковскими картами;
• Безналичный расчёт.

• Нет в наличии;